José Alberto Luna López

 

 José_Alberto_Luna_Lopez.pngJOSÉ ALBERTO LUNA LÓPEZ

CENTRO DE INVESTIGACIONES EN DISPOSITIVOS

SNI: Sí
Nivel: I
Perfil PRODEP:
Padrón de Investigadores VIEP:

 

Correo Electrónico Institucional: jose.luna@correo.buap.mx
Teléfono: 2222295500 Ext: 7853
Dirección: 14 Sur y Avenida San Claudio, Ciudad Universitaria, col. Jardines de San Manuel

Edificio: IC5
Nombre de Laboratorio: Laboratorio de Mediciones Fotoelectricas

Grados Académicos(nombre, año y lugar)

Licenciatura:  Ingeniería Mecánica y Eléctrica, 1991, Tlaxcala
Maestría: Maestría en Dispositivos Semiconductores, 2002, Puebla

Doctorado: Doctorado en Ciencias en la Especialidad de Electrónica, 2007, Puebla
Postdoctorado:  En el Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, 2008, Ensenada
Menciones: SNI-I, Patron de Investigadores-VIEP, Perfil Prodep, Diploma a la mejor tesis de Doctorado, Reconocimiento a la Alumna M. C. Diana Vazquez Valerdi por su trabajo de tesis de Tesis de Maestria

Cuerpo Académico:  SEMICONDUCTORES NANOESTRUCTURADOS Y ÓRGANICOS.
Grado: Consolidado

 

Línea(s) de Investigación que desarrolla:
Nanomateriales y Nanoestructuras, Aplicaciones diversas de nanomateriales y nanoestructuras, Materiales Semiconductores, óxidos no estequiometricos y materiales avanzados (SRO, TCO, cerámicas-ferro eléctricas) para su aplicación en optoelectrónica. Caracterización de materiales mediante espectroscopias y microscopias de nano materiales. Caracterización eléctrica de materiales y dispositivos semiconductores (Diodos pn y MOS, TFT, M-S, etc.). Dispositivos sensores, emisores y celdas solares para aplicación en optoelectrónica.  

Descripcion de la investigación que realiza: 

Investigación del material oxido de silicio rico en silicio (SRO) y SiO2 como capacitor MOS y su posible aplicación como fotodiodo, emisor de luz y celda solar.
Investigación de las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas del óxido de silicio rico en silicio (SRO) nanoestructurado depositado en substratos de silicio, cuarzo y zafiro. Investigación de material ferroeléctrico Niobato de Estroncio y Bario. Investigación de oxidos conductores transparentes (TCO) como el óxido de zinc, oxido de estaño, oxido de estaño dopado con fluor, oxido de estaño dopado con indio, etc.
Investigación de heteroestructuras nanoestructuradas de óxidos semiconductores con nanotubos de carbono y grafeno. Investigación de soluciones coloidales con nanopartículas y nanocristales de semiconductores. Investigación de heteroestructuras nanoestructuras de TCO, SRO, Ftalocianinas y Silicio Poroso. 

Link Publicaciones (Researchgate, Google scholar u otros):

Link Libros y/o Capítulos

 

 

Pogramas educativos en los que participa:

 

Posgrado en Dispositivos Semiconductores

Vinculación
Universidad Carlos III de Madrid España, UTSA, San Antonio Texas, McGill Toronto, Canadá, CNN-UNAM, Universidad CUBA, Etc.

 

 

Desarrollado por Robótica Móvil FCC. Este sitio web se visualiza mejor con Mozilla Firefox