Galeazzi Isasmendi Reina

 

 Reina_Galeazzi_Isasmendi.png    REINA ISASMENDI GALEAZZI

CENTRO DE INVESTIGACIONES EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

SNI: No
Perfil PRODEP:
Padrón de Investigadores VIEP: Sí 

 

 Correo Electrónico Institucional: reina.galeazzi@correo.buap.mx
Teléfono: 2295500   Ext: 7866
Dirección: 14 Sur y Avenida San Claudio s/n Ciudad Universitaria, San Manuel

Edificio: IC5
Nombre de Laboratorio: LABORATORIO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES Y NANOESTRUCTURAS

Grados Académicos

Licenciatura:  Químico Industrial,.......BUAP
Maestría: Dispositivos semiconductores, 1999-2002, BUAP

Doctorado: Dispositivos Semiconductores, 2006-2010, BUAP
Cuerpo Académico:  Materiales Y Dispositivos Semiconductores
Grado: Consolidado

Línea(s) de Investigación que desarrolla:

  • MATERIALES Y ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS
  • ALEACIONES SEMICONDUCTORAS

Descripcion de la investigación que realiza: 

La investigación que se realiza está enfocada en la obtención por el método de baño químico asistido por radiación microondas y su caracterización  de polvos y películas de materiales semiconductores. Este método es muy versatil debido a que es posible obtener diferentes características fisico-químicas de los materiales, como morfología, estequiometría, cristalinodad, etc., solamente cambiando alguno de los parámetros de reacción, como: concentración de la solución precursora, tiempo de radiación microondas, pH de la solución, etc.

Otra técnica de obtención de materiales semicondcutores que se está implementando, es el depósito químico en fase vapor a partir de disoluciones  qúimicas (L-CVD por sus siglas en ingles), para lo cuál se esta construyendo un prototipo que nos permita utilizar las disoluciones mencionadas.
Link Publicaciones (Researchgate, Google scholar u otros):

Programas educativos en el que participa: 

 

 

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